Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2N6073
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Land:
USA
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| Identisch mit |
2N6073
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Triac PN;
Form/Case/Outline: TO-126 | B-16 | TO-225 Anschlussfolge MT1-MT2-G;
Daten/electr.data: Itrms: 4 A; Vdrm: 400 V*; Pgm: 10 W; t max j: 110 °C.
Varianten: 2N6073A = TO-225, 2N6073B = TO-225, lower gate trigger current;
Family: 2N6068[x] =25 V. 2N6069[x] = 50 V, 2N6070[x] = 100 V, 2N6071[x] = 200 V*, 2N6072[x] = 300 V, 2N6073[x] = 400 V, 2N6074[x] = 500 V, 2N6075[x] = 600 V*;
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
8 x 11 x 3 mm / 0.31 x 0.43 x 0.12 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature Central Semiconductor Corp. / DIGITRON
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2N6073: ON Semiconductor
Günther Stabe † 19.8.20
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2N6073: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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2N6073: ON Semiconductor
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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