Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar NPN; Form/Case/Outline: T-113 Anschlussfolge EBEC; Daten/electr.data: I F: 1 A; U F: 18 V; U S: __ V; Isp: <2.5 mA; ß (beta): >5; N: 80 W; Pout: 40 W; Imax(Ic): 6 A; Umax(Ucb): 36 V; Umax(Uce): 18 V; f g(FT): 300 MHz; tmax j: 150 °C. HF-Leistungstransistor / Transmitter VHF -
