Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2N6660
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Land:
USA
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| Identisch mit |
2N6660
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal (Vertical D) MOS-FET;
Form/Case/Outline: TO-39 Anschlussfolge SGD;
Daten/electr.data: U gs: <2 V; I gss: <0.1 µA; Rds(on): <3 Ω; N: 6.25 W; Imax(Id): 1.1 A; Idss: <10 µA; Umax(Ud): 60 V; f g(FT): __ MHz; tf: <5ns; tmax j: 150 °C;
Manufactured by Siliconix (USA);
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
9 x 7 x 8 mm / 0.35 x 0.28 x 0.31 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Collector info (Sammler) TTT Steidle 1981, Philips
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2N6660: Siliconix FET Design Catalog 1979
Heinz Höger
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2N6660: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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2N6660: Siliconix FET Design Catalog 1979
Heinz Höger
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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