Material/Aufbau/Pol.: Silizium N-Kanal Power MOS-FET, Anreicherungstyp; Form/Case: TO-204 (~ TO-3); Daten/electr.data: Vgs: +/- 20 V; Idss: __ µA; Igss: __ nA; Vgs(th): __ V; Pd: 75 W; Idr: 9 A; Vdss: 200 V; Rds(on): 0.6 Ohm; tmax j: 150 °C. -