Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SA1180
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SA1180
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial PNP;
Form/Case/Outline: TO-92-Min. Ansachlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 150 mA; U F: (-5) V; U S: <0.5 V; Isp: <0.1 µA; ß (beta): 120-320*; N: 300 mW; Imax(Ic): 800 mA; Umax(Ucb): -35 V; Umax(Uce): -30 V; f g(FT): 120 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SC2710.
Varianten: 2SA1180-O = 100-160*, 2SA1180-Y = 160 -320* (hfe/beta-Gruppen);
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
4 x 3 x 3 mm / 0.16 x 0.12 x 0.12 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2SA1180: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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