Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SA1356
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SA1356
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial Planar PNP;
Form/Case: ~ TO-126 Anschlussfolge ECB;
Daten/electr.data: I F: 80 mA; U F: -5 V; U S: 0.32 V; Isp: <1 µA; ß (beta): 70-240*; N: 5 W; Imax(Ic): 800 mA; Umax(Ucb): -40 V; Umax(Uce): -40 V; f g(FT): 100 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SC3419.
Varianten: 2SA1356-O = 70-140*, 2SA1356-Y = 120-240* (hfe-Gruppen) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
8 x 11 x 3 mm / 0.31 x 0.43 x 0.12 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2SA1356: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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