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2SA993

Information - Hilfe 
ID = 55337
       
Land:
Japan
Marke: Hitachi Ltd.; Tokyo
Typ:  Transistor   Endstufe 
Identisch mit 2SA993
Sockel Drahtenden
Beschreibung Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial PNP;
Form/Case: R-219 (~ TO-92) Anschlussfolge CBE;
Daten/electr.data: I F: 150 mA; U S: <0.5 V; Isp: <0.1 µA; ß (beta): 60-320*; N: 625 mW; Imax(Ic): 500 mA; Umax(Uce): -50 V; f g(FT): 120 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SC2277.
Varianten: 2SA993B = 60-120*, 2SA993C = 100-200*, 2SA993D = 160-320* (hfe-Gruppen) - 
Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli		 5 x 5 x 4 mm / 0.20 x 0.20 x 0.16 inch
Gewicht 1 g / 0.04 oz
Literatur - - Manufacturers Literature   
to-92_cbe_48.gif 2SA993
Günther Stabe † 19.8.20

Sammlung von

Egon Strampe (D)
 
2sa_993.jpg

 
[rmxtube-ge, noindex]
  
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