Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SB1007
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SB1007
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial Planar PNP;
Form/Case/Outline: TO-126 Anschlussfolge ECB;
Daten/electr.data: I F: 50 mA; U F: -5 V; U S: 0.2 V; Isp: <0.5 µA; ß (beta): 82-390*; N: 10 W; Imax(Ic): 700 mA; Umax(Ucb): -80 V; Umax(Uce): -80 V; f g(FT): 120 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SD1378.
Varianten: 2SB1007-P = 82-180*, 2SB1007-Q = 120-270*, 2SB1007-R = 180-390* (hfe-Gruppen) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
8 x 11 x 3 mm / 0.31 x 0.43 x 0.12 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2SB1007: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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