Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SB1017
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SB1017
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium 3-fach-diff.Planar PNP;
Form/Case/Outline: TO-220-Iso Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 0.4 A; U F: -5 V; U S: 0.45 V; Isp: <100 µA; ß (beta): 40-240*; N: 25 W; Imax(Ic): 4 A; Umax(Ucb): -80 V; Umax(Uce): -80 V; f g(FT): 8 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SD1408.
Varianten: 2SB1017-R = 40-80*, 2SB1017-O = 70-140*, 2SB1017-Y = 120-240* (hfe-Gruppen)
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 17 x 5 mm / 0.39 x 0.67 x 0.20 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2SB1017: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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