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2SB1018

Information - Hilfe 
ID = 71435
       
Land:
Japan
Marke: Toshiba Corporation; Tokyo
Typ:  Transistor   Endstufe 
Identisch mit 2SB1018

Sockel Drahtenden
Beschreibung

Material/Aufbau/Pol.: Silizium 3-fach-diff. PNP;
Form/Case/Outline: TO-220-Iso Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 1 A; U F: (-5) V; U S: <0.5 V; Isp: <5 µA; ß (beta): 70-240*; N: 30 W; Imax(Ic): 7 A; Umax(Ucb): -100 V; Umax(Uce): -80 V; f g(FT): 10 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SD1411.
Varianten: 2SB1018-O = 70-140*, 2SB1018-Y = 120-240* (hfe-Gruppen)
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Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli
10 x 17 x 5 mm / 0.39 x 0.67 x 0.20 inch
Gewicht 3 g / 0.11 oz
Literatur - - Manufacturers Literature   

to_220_i_matsu~~12.png 2SB1018: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20

Sammlung von

 
2sb1018.jpg

 

[rmxtube-ge, noindex]
  

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