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2SB1109

Información - Ayuda 
ID = 56180
       
País:
Japon
Marca: Hitachi Ltd.; Tokyo
Tipo:  Transistor   Power/Output 
Idéntica a 2SB1109
Válvulas similares
Different maximum ratings:
  2SB1110

Base Wires
Descripción PNP silicon epitaxial planar transistor intended as high-voltage low frequency power amplifier.
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Texto en otros idiomas puede diferir
Dimensiones
(Alt,Ancho,Prof.)
incl.pins/tip
8 x 12 x 3 mm / 0.31 x 0.47 x 0.12 inch
Peso 2 g / 0.07 oz
Literatura - - -   
- - Manufacturers Literature   
- - -
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to_126_ttt~~5.png 2SB1109: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20

Colección personal de

 
2sb1109_1.jpg

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