Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SB1151
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SB1151
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial PLanar PNP;
Form/Case: TO-126 Anschlussfolge ECB;
Daten/electr.data: I F: 1 A; U F: -7 V; U S: 0.14 V; Isp: <10 µA; ß (beta): 100-400*; N: 20 W; Imax(Ic): 5 A; Umax(Uce): -60 V; f g(FT): __ MHz; t on: 0.15 µs; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SD1691.
Varianten: 2SB1151-M = 100-200*, 2SB1151-L = 160-320*, 2SB1151-M = 200-400* (hfe/beta-Gruppen).
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
8 x 11 x 3 mm / 0.31 x 0.43 x 0.12 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
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- - Manufacturers Literature
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2SB1151: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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