Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SB1182
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SB1182
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial Planar PNP;
Form/Case/Outline: SC-63 Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 200 mA; U F: -5 V; U S: <0.5 V; Isp: <1 µA; ß (beta): 82-390*; N: 10 W; Imax(Ic): 2 A; Umax(Ucb): -40 V; Umax(Uce): -32 V; f g(FT): 100 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SD1758.
Varianten: 2SB1182-P = 82-180*, 2SB1182-Q = 120-270*, 2SB1182-R = 180-390* (hfe/beta-Gruppen).
Varianten: 2SB1240 (ATV, kompl.: 2SD1862), 2SB1188 (SC-62, kompl.: 2SD1766) = geringfügig andere Bauform.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
7 x 6 x 2 mm / 0.28 x 0.24 x 0.08 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2SB1182: ROHM
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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