Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SB1640
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SB1640
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium 3-fach diff. PNP;
Form/Case: 2-10T1A (~ TO-220) Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 500 mA; U F: -7 V; U S: <1.5 V; Isp: <10 µA; ß (beta): 100-320; N: 1.8 W; Imax(Ic): 3 A; Umax(Ucb): -60 V; Umax(Uce): -60 V; f g(FT): 9 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SD2525.
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 13 x 4 mm / 0.39 x 0.51 x 0.16 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
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- - Manufacturers Literature
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2SB1640: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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