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2SB175B

Information - Hilfe 
ID = 51200
       
Land:
Japan
Marke: Common type Japan tube/semicond.
Typ:  Transistor   Niederfrequenz 
Identisch mit 2SB175B
Ähnliche
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
  2SB175 ; 2SB175A
Sockel Drahtenden
Beschreibung Material/Aufbau/Pol.: Germanium Legierung PNP;
Form/Case: TO-1;
Daten/electr.data: I F: 1 mA, U S: 0.08 V, Isp: <12 µA, ß (beta): 85-220, N: 125 mW, Imax (Ic): 100 mA, Umax (Ucb): -30 V, f g(FT): 0.7 MHz, tmax j: 75 °C.
Manufactured by Matsushita (J).
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli		 6 x 10 x mm / 0.24 x 0.39 x inch
Gewicht 1 g / 0.04 oz
to1_ttt_116.gif 2SB175B
Günther Stabe † 19.8.20
Verwendung in Modellen 1= 1968? ; 1= 1969?? ; 1= 1970?? ; 1= 1970 ; 1= 1972 ; 1= 1974 ; 1= 1976?
Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org bestückt:7
 
[rmxtube-ge, noindex]
  
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