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2SB434

Information - Hilfe 
ID = 58080
       
Land:
Japan
Marke: Toshiba Corporation; Tokyo
Typ:  Transistor   Endstufe 
Identisch mit 2SB434
Ähnliche
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
  BD588

Sockel Drahtenden
Beschreibung Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar PNP;
Form/Case: TO-220 Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 500 mA; U S: <1.2 V; Isp: <10 µA; ß (beta): 40-240*; N: 25 W; Imax(Ic): 3 A; Umax(Ucb): -60 V; Umax(Uce): -50 V; f g(FT): 3 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SD234 / 2SD234G.
- Varianten: 2SB434G(-O/-R/-Y) = 40 V; 2SB434-O= 70-140*, 2SB434-R= 40-80*, 2SB434-Y= 120-240* (beta-Gruppen) - 
Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli
10 x 15 x 5 mm / 0.39 x 0.59 x 0.20 inch
Gewicht 3 g / 0.11 oz
Literatur - - -   
- - -   TTT 1981 Steidle
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to_220_ttt~~63.gif 2SB434: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20

Sammlung von

 
2sb434.jpg

 

[rmxtube-ge, noindex]
  

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