Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.

2SB476
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SB476
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: PNP germanium alloy transistor intended as AF low power amplifier;
Form/Case: TO-39;
Daten/electr.data: VCB0: 20V; VCE0: 10V; IC: 2A; PC: 6W; hFE: >40; TJ: 85°C.
Manufactured by Matsushita (J)
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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| Literatur |
- - Manufacturers Literature Matsushita (J)
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Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:1
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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