Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Germanium Legierung PNP;
Form/CaseOutline: TO-39 (~TO-5), Anschlussfolge EBC (C an Gehäuse);
Daten/electr.data: I F: 200 mA; U F: 1.5 V; U S: 0.45 V; Isp: <50 µA; ß (beta): 50-275*; N: (6) W; Imax(Ic): 1 A; Umax(Ucb): -25 V; f g(FT): 0.7 MHz; tmax j: 85 °C.
Varianten: 2SB492-BK = 67-94*, 2SB492-BN = 76-110*, 2SB492-GR = 180-275*, 2SB492-O = 110-165*, 2SB492-P = 60-83*, 2SB492-R = 90-140*, 2SB492-V = 54-74*, 2SB492-W = 50-66*, 2SB492-Y = 135-220* (beta/hfe-Gruppen);
2SB492ST = Umax: -50 V, Imax: 5 A, hfe: 70-300, IF: 3 A, US: <0.6 V, Isp: <100 µA, fg: 1.5 MHz; 2SB492A (~NTE158) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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