Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SB512
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SB512
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
BD242
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar Transistor PNP;
Form/Case: TO-220 Anschlussfolge: BCE;
Daten/electr.data: I F: 1 A; U F: -5 V; U S: <1.0 V; Isp: <30 µA; ß (beta): 30-1600*; N: 25 W; Imax(Ic): 3 A; Umax (Uce): -60 V; f g (FT): 70 kHz; tmax j: 175 °C; kompl.: 2SD365.
Varianten: 2SB512A = Umax(Uce): -80 V (~ BD242B);
2SB512-O / 2SB512A-O = 80-160*, 2SB512-P / 2SB512A-P = 50-100*, 2SB512-Q 2SB512A-Q = 30-60* (beta/hfe-Gruppen).
Manufactured by Matsushita (J) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 4 mm / 0.39 x 0.59 x 0.16 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
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2SB512
Günther Stabe † 19.8.20
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Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:1
Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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