Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SB670
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SB670
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar Epitaxial Darlington PNP;
Form/Case/Outline: TO-3;
Daten/electr.data: I F: 1.5 A; U S: <2.5 V; Isp: <200 µA; ß (beta): 1000-10000; N: 60 W; Imax(Ic): 6 A; Umax(Uce): -90 V*; f g(FT): (0.1) MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SD680.
Variante: 2SB670A = -110 V*, kompl.: 2SD680A;
Manufactured by Matsushita (J) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
39 x 9 x 28 mm / 1.54 x 0.35 x 1.10 inch |
| Gewicht |
15 g / 0.53 oz |
| Literatur |
-- Collector info (Sammler) TTT Steidle 1981
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2SB670: TVT 1969 Verlag Nolde Dachau
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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