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2SB753

Information - Hilfe 
ID = 55810
       
Land:
Japan
Marke: Toshiba Corporation; Tokyo
Typ:  Transistor   Endstufe 
Identisch mit 2SB753

Sockel Drahtenden
Beschreibung

Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial Planar PNP;
Form/Case/Outline: TO-220 Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 1 A; U S: <0.5 V; Isp: <5 µA; ß (beta): 70-240*; N: 40 W; Imax(Ic): 7 A; Umax(Uce): -80 V; f g(FT): 10 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SD843.
Varianten: 2SB753-O = 70-140*, 2SB753-Y = 120-240* (hfe-Gruppen) -

 
Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli
10 x 16 x 4 mm / 0.39 x 0.63 x 0.16 inch
Gewicht 2 g / 0.07 oz
Literatur -- Collector info (Sammler)   TTT 1981 Steidle

to-220_ttt_77.gif 2SB753
Günther Stabe † 19.8.20

Sammlung von

 
2sb753.jpg

 

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