Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SB795
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SB795
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar Darlington PNP mit Damper-Diode;
Form/Case/Outline: TO-126 Anschlussfolge E2-C1/C2-B1;
Daten/electr.data: I F: 1 mA; U F: -8 V; Isp: <1 µA; ß (beta): 2000-30000*; N: 10 W; Imax(Ic): 1.5 A; Umax(Uce): -80 V; f g(FT): __ MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SD986.
Varianten: 2SB795-M = 2000-5000*, 2SB795-L = 4000-10000*, 2SB795-M = 8000-30000* (hfe-Gruppen)
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
8 x 13 x 3 mm / 0.31 x 0.51 x 0.12 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2SB795
Günther Stabe † 19.8.20
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2SB795: NEC
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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