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2SB82

Information - Hilfe 
ID = 65832
       
Land:
Japan
Marke: Hitachi Ltd.; Tokyo
Typ:  Transistor   Endstufe 
Identisch mit 2SB82
Ähnliche
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
  2SB81

Sockel Drahtenden
Beschreibung

Material/Aufbau/Pol.: Germanium Legierung PNP;
Form/Case/Outline: F-9 (~ SOT-9);
Daten/electr.data: I F: 100 mA; U F: -12 V; Isp: __ µA; ß (beta): 70; N: 2 W; Imax(Ic): 500 mA; Umax(Ucb): -100 V; Umax(Uce): -60 V; f g(FT): __ MHz; tmax j: 70 °C.
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Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli
31 x 7 x 18 mm / 1.22 x 0.28 x 0.71 inch
Gewicht 6 g / 0.21 oz
Literatur -- Collector info (Sammler)   Towers IVT

sot_9~~4.png 2SB82: TVT 1969 Verlag Nolde Dachau
Günther Stabe † 19.8.20

 

[rmxtube-ge, noindex]
  

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