Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SC3181
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SC3181
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium dreifach diff. NPN;
Form/Case/Outline: TO-3-P (2SC3181[N]) Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 1 A; U F: (5) V; U S: <2.0 V; Isp: __ µA; ß (beta): 55-160; N: 80 W; Imax(Ic): 6 A; Umax(Ucb/Uce): 120 V; f g(FT): 30 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SA1264[N].
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
15 x 21 x 5 mm / 0.59 x 0.83 x 0.20 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers.
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2SC3181: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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2SC3181: Toshiba
Reinhard Keins
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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