Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SC3230
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Land:
Südkorea
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| Identisch mit |
2SC3230
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Planar Epitaxial NPN;
Form/Case: TO-220 Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 200 mA; U F: 5 V; U S: 0.3 V; Isp: <1 µA; ß (beta): 70-240; N: 10 W; Imax(Ic): 3 A; Umax(Uce): 30 V; f g(FT): 100 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SA1276.
Varianten: 2SC3230-O = 70-140*, 2SC3230-Y = 120-240* (hfe-/beta-Gruppen);
Manufactured ky KEC (S-Korea);
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 5 mm / 0.39 x 0.63 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
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- - Manufacturers Literature KEC / Inchange Semiconductor
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2SC3230
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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