Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SC3260
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SC3260
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| Ähnliche |
Grenzwerte anders:
2SC3259
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial Planar NPN;
Form/Case/Outline: TO-247 Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: __ A; U S: __ V; Isp: __ µA; ß (beta): >7; N: 50 W; Imax(Ic): 3 A; Umax(Ucb): 800 V; Umax(Uce): 800 V; f g(FT): __ MHz; tf: 0.7 µs; tmax j: 150 °C;
Manufactured by Shindengen (J) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
16 x 20 x 4 mm / 0.63 x 0.79 x 0.16 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. Shindengen
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2SC3260: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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