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2SC4689

Information - Hilfe 
ID = 59223
       
Land:
Japan
Marke: Toshiba Corporation; Tokyo
Typ:  Transistor   Endstufe 
Identisch mit 2SC4689

Sockel Drahtenden
Beschreibung

Material/Aufbau/Pol.: Silizium dreifach diff. NPN;
Form/Case: ~ TO-3-Pl Plastik Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 0.8 A; U F: 5 V; U S: 0.8 V; Isp: <5 µA; ß (beta): 55-160*; N: 70 W; Imax(Ic): 8 A; Umax(Ucb): 120 V; Umax(Uce): 120 V; f g(FT): 30 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SA1804;
Varianten: 2SC4689-R = 55-110*, 2SC4689-S = 80-160* (hfe-Gruppen);

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Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli
16 x 22 x 5 mm / 0.63 x 0.87 x 0.20 inch
Gewicht 5 g / 0.18 oz
Literatur - - Manufacturers Literature   

to_3p~~30.gif 2SC4689: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20

Verwendung in Modellen 1= 1994?

Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org bestückt:1

Sammlung von

 
2sc4689_npn_ta_f245r_hfm1.jpg

 

[rmxtube-ge, noindex]
  

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