Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SD1163
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SD1163
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium 3-fach diff. NPN;
Form/Case/Outline: TO-220 Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 500 mA; U F: 6 V; U S: <2.0 V; Isp: <5 mA; ß (beta): >25; N: 40 W; Imax(Ic): 7 A; Umax(Ucb): 300 V; Umax(Uce): 120 V; f g(FT): __ MHz; tf: <0.5 µs; tmax j: 150 °C;
Variante: 2SD1163-A = Umax(Ucb): 350 V; Umax(Uce): 150 V; U S: <1.0 V;
Horizontalablenkung -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 4 mm / 0.39 x 0.63 x 0.16 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2SD1163: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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