Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SD1683
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SD1683
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| Ähnliche |
Grenzwerte anders:
2SD1682
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial Planar NPN;
Form/Case: TO-126-ML Anschlussfolge ECB;
Daten/electr.data: I F: 100 mA; U F: 6 V; U S: 0.35 V; Isp: <1 µA; ß (beta): 100-560*; N: 10 W; Imax(Ic): 4 A; Umax(Ucb): 60 V; Umax(Uce): 50 V; f g(FT): 150 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SB1143.
Varianten: 2SD1683-R = 100-200*, 2SD1683-S = 140-280*, 2SD1683-T = 200-400*, 2SD1683-U = 280-560* (hfe-/beta-Gruppen) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
8 x 13 x 3 mm / 0.31 x 0.51 x 0.12 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
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- - Manufacturers Literature
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2SD1683: Sanyo
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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