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2SD2012

Información - Ayuda 
ID = 50269
       
País:
Japon
Marca: Toshiba Corporation; Tokyo
Tipo:  Transistor   Power/Output 
Idéntica a 2SD2012

Base Wires
Descripción NPN silicon triple diffused transistor intended as AF power amplifier.
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Texto en otros idiomas puede diferir
Dimensiones
(Alt,Ancho,Prof.)
incl.pins/tip
10 x 16 x 5 mm / 0.39 x 0.63 x 0.20 inch
Peso 2 g / 0.07 oz
Literatura - - Manufacturers Literature   

to220fm_1.gif 2SD2012
Günther Stabe † 19.8.20

Uso en Modelos 1= 2001?

Número de modelos en Radiomuseum.org con esta válvula:1

Colección personal de

 
2sd2012_redimensionner.jpg

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