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2SD2012

Information - Hilfe 
ID = 50269
       
Land:
Japan
Marke: Toshiba Corporation; Tokyo
Typ:  Transistor   Endstufe 
Identisch mit 2SD2012

Sockel Drahtenden
Beschreibung Material/Aufbau/Pol.: Silizium 3-fach diff. NPN;
Form/Case: TO-220F Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 200 mA; U F: 7 V; U S: 1.0 V; Isp: <10 µA; ß (beta): 100-320; N: 25 W; Imax(Ic): 3 A; Umax(Uce): 60 V; f g(FT): 9 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SB1375.
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Text in anderer Sprache (evtl. verschieden)
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli
10 x 16 x 5 mm / 0.39 x 0.63 x 0.20 inch
Gewicht 2 g / 0.07 oz
Literatur - - Manufacturers Literature   

to220fm_1.gif 2SD2012
Günther Stabe † 19.8.20

Verwendung in Modellen 1= 2001?

Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org bestückt:1

Sammlung von

 
2sd2012_redimensionner.jpg

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