Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial Planar NPN mit Diode; Form/Case: TO-3-PML Anschlussfolge ECB; Daten/electr.data: I F: 3 A; U S: <5 V; Isp: <10 µA; ß (beta): 8-20; N: 50 W; Imax(Ic): 6 A; Umax(Ucb): 1500 V; Umax(Uce): 600 V; f g(FT): 3 MHz; tmax j: 150 °C; -
