Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SD415
Land:
Japan
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Identisch mit |
2SD415
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Sockel |
Drahtenden
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Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: NPN Si-Transistor for Low Frequency Power Amps;
Form/Case/Outline: TO-220
Daten/electr.data: ß (beta): __; PD: 10W; Ic(max): 0,8A; UCE0: 100V;
UCB0: 120V; f g(FT): __ MHz; Tj: 150 °C;
kompl.: 2SB549
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Literatur |
- - Manufacturers Literature NEC
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2SD415: Peter Pfeiffer
Peter Pfeiffer
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Anzahl Modelle bei Radiomuseum.org
bestückt:2
Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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