Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SD756
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SD756
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial Planar NPN;
Form/Case: R-245 (~ TO-92-L) Anschlussfolge BCE;
Daten/electr.data: I F: 2 mA; U S: <0.2 V; Isp: <0.5 µA; ß (beta): 250-1200*; N: 750 mW; Imax(Ic): 50 mA; Umax(Uce): 120 V; f g(FT): 350 MHz; tmax j: 125 °C; kompl.: 2SB716 / 2SB716A.
Varianten: 2SD756A = 140 V, hfe: 250-500;
2SD756-D = 250-500*, 2SD756-E = 400-800*, 2SD756-F = 600-1200* (beta/hfe-Gruppen) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 8 x 4 mm / 0.20 x 0.31 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
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- - - TTT 1981 Steidle
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2SD756: TVT 1969 Verlag Nolde Dachau
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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