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2SD809

Information - Hilfe 
ID = 50783
       
Land:
Japan
Marke: NEC Corporation, Nippon Electric Co. Ltd. (Nippon Denki); Tokyo
Typ:  Transistor   Endstufe 
Identisch mit 2SD809
Sockel Drahtenden
Beschreibung Material/Aufbau/Pol.: Silizium Epitaxial NPN;
Form/Case: TO-126 Anschlussfolge ECB;
Daten/electr.data: I F: 500 mA; U S: <0.6 V; Isp: 0.1 µA; ß (beta): 135-600*; N: 10 W; Imax(Ic): 1 A; Umax(Uce): 50 V; f g(FT): 75 MHz; tmax j: 150 °C; kompl.: 2SB731;
Varianten: 2SD809-L = 135-270*, 2SD809-K = 200-400* 2SD809-F = 300-480*, 2SD809-E = 360-600* (hfe/beta-Gruppen) - 
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli		 9 x 12 x 3 mm / 0.35 x 0.47 x 0.12 inch
Gewicht 1 g / 0.04 oz
Literatur - - Manufacturers Literature   
to126_t_102.gif 2SD809
Günther Stabe † 19.8.20

Sammlung von

Jacky Parmentier (F)
 
2sd809_redimensionner.jpg

 
[rmxtube-ge, noindex]
  
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