Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SJ353
|
Land:
Japan
|
|
| Identisch mit |
2SJ353
|
| Sockel |
Drahtenden
|
| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium P-Kanal MOS-FET;
Form/Case: (Plastic) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: I dss: <10 µA; V gss: +/- 20 V; I gss: <10 µA; V gs(off): <1.6 V; N: 1 W; Id: 1.5 A; Rds(on): 0.58 Ohm; V dss: -60 V; t r: 15 ns; tmax j: 150 °C;
Sehr schneller Leistungsschalter -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
7 x 9 x 4 mm / 0.28 x 0.35 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - -
- - Manufacturers Literature
- - -
- - -
|
|
2SJ353: NEC
Günther Stabe † 19.8.20
|
|
2SJ353: NEC
Günther Stabe † 19.8.20
|
Sammlung von
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|
|
