Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SK1198
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SK1198
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: N-Kanal-MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case/Outline: TO-220-Iso Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Rds(on): 2.5 Ω; Yfs: >1.0 s; Vth: 1.5 ... 3.5 V; Vgss: +/- 20 V; Igss: < +/-100 nA; Idr: __ A; Pd: 35 W; Id: 2 A (pulse: 8 A); Idss: <100 µA; Vdss: 700 V; td on: 10 ns; f: __ MHz; tmax j: 150 °C;
Leistungsschalter -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
11 x 17 x 4 mm / 0.43 x 0.67 x 0.16 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2SK1198: NEC
Günther Stabe † 19.8.20
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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