Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SK1268
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SK1268
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| Ähnliche |
Austauschbar, kleine Unterschiede mögl.
2SK1269
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium N-Kanal-Sperrschicht-FET;
Form/Case: TO-3P Anschlussfolge: GDS;
Daten/electr.data: Vgs off: 2...4 V; Vgss: +/-20 V; Igss: < +/-10 µA; Idss: <250 µA; Idr: 15 A; N: 60 W; Id: 15 A (peak: 60 A); Vdss: 450 V; td on: 30 ns; tmax j: 150 °C;
Schneller Leistungsschalter -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
16 x 20 x 5 mm / 0.63 x 0.79 x 0.20 inch |
| Gewicht |
4 g / 0.14 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2SK1268: Hitachi
Günther Stabe † 19.8.20
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2SK1268: Hitachi
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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