Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SK1356
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SK1356
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium N-Kanal-MOS-FET;
Form/Case: TO-220-Iso Anschlussfolge: GDS;
Daten/electr.data: Vgs off: 1.5 ... 3.5 V; Vgss: +/-30 V; Igss: +/- 100 nA; Idr: 3 A; Idss: <300 µA; N: 40 W; Id: 3 A; Vdss: 900 V; td on: 70 ns; Rds(on): 3.3 Ohm; tmax j: 150 °C;
Schneller Leistungsschalter -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 4 mm / 0.39 x 0.63 x 0.16 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2SK1356: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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