Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SK165
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SK165
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium N-Kanal-Sperrschicht-FET;
Form/Case: TO-92 Anschlussfolge: GSD;
Daten/electr.data: Idss: 8...32 mA*; Isp: <2 nA; ß (beta): ___; N: 300 mW; Imax: 50 mA; Umax: (15) V; f g (FT): __ MHz; tmax: 100 °C; rauscharm;
Varianten: 2SK165-P = 8...16 mA*, 2SK165-Q = 14...24 mA*, 2SK165-R = 20...32 mA* (Idss);
Manufactured by Matsushita (for Panasonic, J) -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
5 x 5 x 4 mm / 0.20 x 0.20 x 0.16 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. Panasonic
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2SK165: TVT 1969 Verlag Nolde Dachau
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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