Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SK2350
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SK2350
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium N-Kanal-MOS-FET, Anreicherungstyp;
Form/Case: TO-220-Iso (SC-67) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vgss: +/- 20 V; Vth: 1.5 ... 3.5 V; Idss: <100 µA; Igss: <10 µA; Pd: 30 W; Id: 8.5 A (pulse: 34 A); Vdss: 200 V; td on: 25 ns; Rds(on): 0.26 Ω; tmax j: 150 °C;
Leistungsschalter -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 4 mm / 0.39 x 0.63 x 0.16 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2SK2350: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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