Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SK2605
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SK2605
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| Ähnliche |
Grenzwerte anders:
2SK2604
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium N-Kanal-MOS-FET;
Form/Case/Outline: TO-220-Iso (SC-67) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vth: 2...4 V; Vgss: +/- 30 V; Igss: <10 µA; Idss: <100 µA; Pd: 45 W; Id: 5 A (pulse: 15 A); Vdss: 800 V; Rds(on): 1.9 Ω; td(on): 80 ns; tmax j: 150 °C;
Schneller Leistungsschalter -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 15 x 4 mm / 0.39 x 0.59 x 0.16 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2SK2605: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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