Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SK2610
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SK2610
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium N-Kanal-MOS-FET;
Form/Case/Outline: TO-3-Pl (SC-65) Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vgs off: __ V; Vgss: +/- 30 V; Idss: <100 µA; Idr: __ A; Pd: 150 W; Id: 5 A (pulse: 15 A); Vdss: 900 V; td on: 90 ns; tmax j: 150 °C;
Schneller Leistungsschalter -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
16 x 20 x 5 mm / 0.63 x 0.79 x 0.20 inch |
| Gewicht |
5 g / 0.18 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2SK2610: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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