Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SK2632
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SK2632
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium N-Kanal-MOS-FET;
Form/Case/Outline: TO-220-Iso Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vgs off: 3.5 ... 5.5 V; Vgss: +/- 30 V; Igss: <100 nA; Idss: <1 mA; Pd: 25 W; Id: 2.5 A (pulse: 7.5 A); Vdss: 800 V; Rds(on): <4.8 Ω; td on: 15 ns; tmax j: 150 °C;
Schneller Leistungsschalter
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 4 mm / 0.39 x 0.63 x 0.16 inch |
| Gewicht |
3 g / 0.11 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2SK2632: TTT Steidle 1981
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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