Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SK2996
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SK2996
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| Sockel |
Drahtenden
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| Anwender |
Industrie |
| Beschreibung |
Material/Aufbau: N-Kanal-Sperrschicht-MOS-FET (π-MOS V) , Enhancement mode;
Form/Case/Outline: TO-220-Iso Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vgs off: 2...4 V; Vgss: +/- 30 V; Igss: <10 µA; Idss: <100 µA; Pd: 45 W; Id: 10 A (pulse: 30 A); Vdss: 600 V; Rds(on): 0.74 Ω; td on: 55 ns; tmax j: 150 °C;
Leistungsschalter -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 5 mm / 0.39 x 0.63 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2SK2996: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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