Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SK3298
|
Land:
Japan
|
|
| Identisch mit |
2SK3298
|
| Sockel |
Drahtenden
|
| Anwender |
Industrie |
| Beschreibung |
Material/Aufbau: N-Kanal-Sperrschicht-MOS-FET, Enhancement mode;
Form/Case/Outline: TO-220-Iso Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vgs(off): 2.5 ... 3.5 V; Vgss: +/- 30 V; Idss: <100 µA; Igss: <100 nA; Pd: 40 W; Id: 7.5 A; Vdss: 600 V; Rds(on): 0.67 Ω; td(on): 27 ns; tmax j: 150 °C;
Schneller Leistungsschalter
-
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
|
Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 5 mm / 0.39 x 0.63 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
|
|
2SK3298: NEC
Günther Stabe † 19.8.20
|
|
|
Sammlung von
|
|
|
|
[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
|
|
|
