Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SK4106
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SK4106
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: N-Kanal-Sperrschicht-π MOS VI-FET;
Form/Case/Outline: TO-220-Iso Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vgs(th): 2...4 V; Vgss: +/- 30 V; Igss: +/- <10 µA; Pd: 45 W; Id: 12 A; Idss: <100 µA; Vdss: 500 V; Rds(on): 0.4 Ω; td(on): 50 ns; tmax j: 150 °C;
Schneller Leistungsschalter
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 16 x 5 mm / 0.39 x 0.63 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2SK4106: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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