Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SK526
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SK526
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium N-Kanal-Sperrschicht-pMOS-FET;
Form/Case: TO-220-Iso Anschlussfolge: GDS;
Daten/electr.data: Vgs off: __ V; Vgss: +/- 20 V;Igss: +/- 0.1 µA; Idss: <1 mA; N: 40 W; Id: 10 A (pulse: 15 A); Vdss: 250 V; Rds(on): 0.4 Ohm; tf: 60 ns; tmax j: 150 °C;
Schneller Leistungsschalter -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
10 x 17 x 5 mm / 0.39 x 0.67 x 0.20 inch |
| Gewicht |
2 g / 0.07 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2SK526: Toshiba
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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