Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SK611
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SK611
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| Sockel |
Drahtenden
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| Anwender |
Industrie |
| Beschreibung |
Material/Aufbau/Mat.: Silizium N-Kanal-MOS-FET;
Form/Case/Outline: ~ B-22 / TO-252 Anschlussfolge GDS;
Daten/electr.data: Vgss: +/- 20 V; Vgs(off): <3 V; Igss: <0.1 µA; Idss: <10 µA; Pd: <10 W; Id: 1 A (Pulse: 3 A); Vdss: 100 V; Rds(on): 3 Ω; td(off): 10 ns; tmax j: 150 °C;
Schneller Leistungsschalter
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Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
7 x 6 x 2 mm / 0.28 x 0.24 x 0.08 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
- - Manufacturers Literature
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2SK611: NEC
Günther Stabe † 19.8.20
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2SK611: NEC
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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