Radio-Katalog, Röhren, Halbleiter etc.
2SK656
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Land:
Japan
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| Identisch mit |
2SK656
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| Sockel |
Drahtenden
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| Beschreibung |
Material/Aufbau: Silizium N-Kanal-MOS-FET mit 2 Widerst.;
Form/Case/Outline: TO-92-M / SC-72 Anschlussfolge SDG;
Daten/electr.data: Vgso: 8 V; Vth: >1.5 V; Igss: >40 µA; Idss: <10 µA; Pd: <200 mW; Id: 100 mA; Vdss: 50 V; Rds(on): < 50 Ω; td(off): <1 µs; Rin (R1+R2): 100...200 kΩ; tmax j: 150 °C;
Manufactured by (Matsushita for) Panasonic -
Text in anderer
Sprache (evtl. verschieden)
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Abmessungen (BHT)
inkl. Stifte/Spitzli |
4 x 3 x 2 mm / 0.16 x 0.12 x 0.08 inch |
| Gewicht |
1 g / 0.04 oz |
| Literatur |
-- Original-techn. papers. Panasonic
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2SK656: Panasonic
Günther Stabe † 19.8.20
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2SK656: Panasonic
Günther Stabe † 19.8.20
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Sammlung von
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[rmxtube-ge, noindex]
| Datenkonformität |
Mehr Informationen |
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